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概述:一是內(nèi)部放電。高壓開(kāi)關(guān)柜內(nèi)部絕緣結(jié)構(gòu)出現(xiàn)雜質(zhì)或氣隙時(shí)，在高電壓作用下容易引發(fā)內(nèi)部放電現(xiàn)象。在制造絕緣結(jié)構(gòu)時(shí)，因選擇了不同介質(zhì)或工藝不佳的絕緣材料，導(dǎo)致絕緣結(jié)構(gòu)電場(chǎng)分布不均勻；因安裝不規(guī)范造成的內(nèi)部缺陷
2.進(jìn)相器原理進(jìn)相器工作原理圖

概述:一、進(jìn)相器工作原理1）繞線式電機(jī)轉(zhuǎn)子側(cè)用進(jìn)相補(bǔ)償工作原理異步電機(jī)負(fù)載運(yùn)行時(shí)的電路分析異步電機(jī)帶負(fù)載運(yùn)行時(shí)的等效電路圖及各物理參數(shù)的相量關(guān)系圖如圖一、圖二所示：圖一異步電動(dòng)機(jī)等效電路圖由異步電動(dòng)機(jī)等效電路圖一和相量關(guān)系圖二可知，電機(jī)功率因數(shù)cosφ1決定于電網(wǎng)電壓U1與電機(jī)定子電流I1之間的夾角φ1，
3.什么是發(fā)電機(jī)的進(jìn)相和遲相？發(fā)電機(jī)的工作狀態(tài)有幾種？

概述:在一般情況下，因負(fù)荷以感性為多，同步發(fā)電機(jī)既發(fā)出有功，也發(fā)出無(wú)功，這種狀態(tài)稱(chēng)為發(fā)電機(jī)的遲相運(yùn)行，或稱(chēng)為滯后，發(fā)電機(jī)正常即處于遲相運(yùn)行狀態(tài)，此時(shí)發(fā)電機(jī)發(fā)出感性無(wú)功功率。但有時(shí)發(fā)電機(jī)送出有功，吸收無(wú)功，這種狀態(tài)稱(chēng)之為發(fā)電機(jī)的進(jìn)相運(yùn)行。改變發(fā)電機(jī)的無(wú)功功率輸出，一般可通過(guò)改變進(jìn)入轉(zhuǎn)子回路的勵(lì)磁電流來(lái)實(shí)現(xiàn)。
4.什么是無(wú)功補(bǔ)償，無(wú)功補(bǔ)償?shù)幕驹砼c計(jì)算公式

概述:您好！我們公司需要采購(gòu)一臺(tái)無(wú)功補(bǔ)償裝置，該如何計(jì)算容量，請(qǐng)告知一下！
5.三菱變頻器故障代碼大全及故障原因

概述:三菱變頻器故障報(bào)警代碼之嚴(yán)重故障代碼故障名稱(chēng)檢查要點(diǎn)E.OC1加速時(shí)過(guò)電流斷路是否急加速運(yùn)轉(zhuǎn)輸出是否短路，主回路電源(R，S，T)是否供電。E.OC2定速時(shí)過(guò)電流斷路負(fù)荷是否有急速變化，輸出是否短路。E.OC3減速時(shí)過(guò)電流斷路是否急減速運(yùn)轉(zhuǎn)，輸出是否短路，電機(jī)的機(jī)械制動(dòng)是否過(guò)早E.OV1加速時(shí)再生過(guò)
6.電容補(bǔ)償柜的功率因數(shù)達(dá)到多少才能補(bǔ)償

概述:功率因數(shù)是很多工廠，企業(yè)經(jīng)常關(guān)注的一個(gè)問(wèn)題，能否達(dá)到國(guó)家規(guī)定的功率因數(shù)，是否實(shí)現(xiàn)省電降耗是很多工廠密切關(guān)注的，所以工廠在建設(shè)的就需要考慮到這個(gè)問(wèn)題。國(guó)家以用途和變
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8.高壓變壓器房離人安全距離規(guī)定是什么

概述:我公司在設(shè)計(jì)高壓變壓器機(jī)房，想問(wèn)一下有什么需要注意的，還有安全距離一般是多少？
9.高壓斷路器一般規(guī)定與斷路器操作問(wèn)題

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10.50平方鋁線三相電，50千瓦，經(jīng)過(guò)2千米，線損是多少？

概述:我是一名戶(hù)外電工，現(xiàn)在要更換一根線路，用的是50平方的三相鋁線，已經(jīng)知道距離大概是2千米，50KW起步，估計(jì)到末端會(huì)損耗多少？

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進(jìn)相器可控硅容易燒是怎么回事

發(fā)布時(shí)間：2017-07-18

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發(fā)布者：未知

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進(jìn)相器可控硅容易燒是怎么回事？

國(guó)產(chǎn)晶閘管(可控硅)的耐壓一般不會(huì)超過(guò)1500V!而3550KW(10KV)電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)子開(kāi)路電壓為 1470V,接近可控硅的耐壓極限,在進(jìn)相切換時(shí),如果可控硅的參數(shù)偏差較大時(shí),很容易造成某一對(duì)可控硅擊穿! 通常是(-C,+A),(-A,+B),(-B,+C)其中的一對(duì)擊穿,同時(shí)對(duì)應(yīng)可控硅并聯(lián)的阻容吸收回路必定擊穿. 解決的辦法: 1,挑選參數(shù)盡量一致的可控硅元件. 2,適當(dāng)加大阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù). 3,適當(dāng)控制電源電壓,避免啟動(dòng)進(jìn)相機(jī)時(shí)的過(guò)電壓現(xiàn)象.

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