靜止式進(jìn)相器是串接在電機(jī)轉(zhuǎn)子回路中，通過改變轉(zhuǎn)子電流與轉(zhuǎn)子電壓的相位關(guān)系，進(jìn)而改變電機(jī)定子電流與電壓的相位關(guān)系，達(dá)到提高電機(jī)自身的功率因數(shù)和效率，提高電機(jī)過載能力、降低電機(jī)定子電流、降低電機(jī)自身損耗的目的。

進(jìn)相器中可控硅是將電網(wǎng)中工頻50Hz電流轉(zhuǎn)為與電機(jī)轉(zhuǎn)子同頻的低頻電流的交交變頻環(huán)節(jié)主要器件。可控硅實(shí)質(zhì)上是一個(gè)通過控制極控制導(dǎo)通或關(guān)斷的開關(guān)元件。

從可控硅上引出并用螺絲固定在絕緣板上的為可控硅的控制極，也稱觸發(fā)極，而接有觸發(fā)線的那個(gè)散熱器端子為可控硅的陰極。也可通過測量阻的辦法區(qū)分陰陽極。而判斷可控硅好壞的簡易辦法是測其各極間的阻值，好的可控硅各極間阻值如下：

   觸發(fā)極與陰極——幾十歐姆；

   觸發(fā)極與陽極——幾十千歐以上；

   陰極與陽極  ——幾十千歐以上。

   實(shí)際測量時(shí)，應(yīng)抽出驅(qū)動(dòng)板，以保證測量準(zhǔn)確。如發(fā)現(xiàn)有四只可控硅的阻值均為零時(shí)，往往只有個(gè)別可控阻值為零，應(yīng)斷開與之相連的母排，重新測量。更換可控硅時(shí)，應(yīng)注意平衡鋼球位置，務(wù)必壓緊散熱器，否則易產(chǎn)生過熱而燒壞可控硅，更換后應(yīng)再次檢測阻值。

可控硅損壞原因判斷

   當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。

   1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。

   2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，其位置在遠(yuǎn)離控制極上

   3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。

   4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。  這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。